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微電子所羅慶博士獲2019年度國家優秀青年科學基金資助

  

  日前,2019年度國家優秀青年科學基金評審結果公布。微電子所微電子重點實驗室羅慶博士的“阻變存儲器的三維集成”獲得國家優秀青年科學基金資助,資助期從2020年至2022年。這是微電子所在國家青年人才培養和科研隊伍建設方面取得的重要成果。

       羅慶博士長期致力于新型存儲器的高密度集成的研究,在阻變存儲器的三維集成領域取得了突破性進展,首次實現了8層垂直結構的三維阻變存儲陣列;針對三維集成陣列中的關鍵性問題——交叉串擾問題,提出了高性能選通管以及自選通阻變存儲器;針對先進工藝節點的嵌入式存儲器缺失問題,提出了基于Hf0.5Zr0.5O2的鐵電混合存儲器件。 

      基于上述成果,羅慶博士在微電子領域最重要的國際會議IEDM/VLSI上發表論文10篇(第一作者6,在微電子領域最重要期刊IEEE EDL/TED上發表論文8篇(第一作者4篇)。發表的論文被Nat. Mater.Nat. Electron.Nat. Commun.等期刊重點評述和引用,被SamsungIMEC、惠普實驗室等研究機構的跟蹤和引用;自選通器件作爲典型工作入選國際半導體技術路線圖(IRDS2017)。與全球存儲産業巨頭之一美國西部數據公司就RRAM三維集成研究開展合作,與聯想集團合作開展獨立式三維阻變存儲器的研發。